Citazione:
Originalmente inviato da marcosinatti  Vorrei portare una piccola correzione.
Nei transistor normali al silicio, la caduta di tensione è 0,6-0,7V.
0,2-0,3 per i vecchi transistor al germanio.
Quindi l'uso del mosfet ha ancora più vantaggio rispetto al BJT. |
Marco ti correggo, parlo di VCE sat, non VBE, quindi è corretto 0.2-0.3V
