Citazione:
Originalmente inviato da Franz DAG  Mosfet? si può fare...
io puntavo sui BJT perchè forse qualcosa ho già in casa, ma non è un problema, solo che i mosfet proprio non li conosco...
Grazie!!! |
I BJT hanno una caduta di tensione tra collettore ed emettitore nello stato di saturazione di 0.2 V circa... Questo significa che con un assorbimento di 10A, avresti 0.2*10 = 2W di potenza sprecata e da dissipare in calore per ogni transistor. Fai conto che nel ponte i transistor vanno in conduzione due alla volta, ed hai 4W persi che non vanno al motore, 0.4V in meno di alimentazione, e 4W da dissipare in calore...Non proprio numeretti piccoli...
I BJT vengono pilotati in corrente, cioè la corrente di uscita(Ic) = hfe*Ibase.
I mos invece non hanno una caduta di tensione fissa tra collettore ( drain per i mos ) ed emettitore ( source per i mos ), ma hanno una resistenza interna minima ( RdsON chiamata ) molto bassa ( parliamo di valori nell'ordine dei 2-5 mohm ). Capisci che con una corrente di 10A, ed una resistenza del mos di 0.002 ohm, hai una caduta di tensione di 10*10*0.002= 0.2W 10 volte inferiore al caso precedente.
Una tensione persa di 10*0.002 = 20mV per transistor e quindi 40 mV nel ponte intero.
Inoltre i mos vengono pilotati in tensione, e non corrente, nei datasheet dei transistori trovi la transcaratteristica del mos, cioè la curva in un grafico che mette in relazione tensione di pilotaggio ( es 3.5V ) e corrente in uscita ( es 7A ).
In questa maniera non hai nemmeno bisogno di resistenze di base.
Spero di esser stato chiaro.
