Incongruenze all'interno dello stesso datasheet?
 

Ciao a tutti, vi chiedo lumi su una cosa apparentemente molto strana, infatti ho scaricato un datasheet di un transistor di media potenza (BD244 = 4 Amp) ma all'interno di questo datasheet sembra che ci sono incongruenze circa il guadagno dello stesso nella sua corrente ai 3 Ampere; infatti alla pagina uno di questo datasheet sotto hFE c'è scritto che per corrente di collettore di 3 Ampere ho 4 volt di caduta di potenziale su collettore-emettitore e un guadagno minimo di 15, ma alla pagina immediatamente successiva al diagramma di Bode sempre del guadagno c'è scritto che per una corrente di collettore sempre di 3 Ampere avrei un guadagno pari a circa 60, ora, ho pensato che la differenza potrebbe essere dovuta al fatto che il diagramma di Bode è realizzato in scala semilogaritmica? Qualora fosse così, qual'è l'equazione per convertire il valore semilogaritmico estratto dalla tavola di Bode nel relativo valore naturale da poter usare per dimensionare la resistenza in base?

Grazie mille a tutti spero in una risposta

Leonardo

Per prima cosa ci sono due hfe uno statico e uno dinamico.

quello che vedi sul grafico pero' e' un vcesat = 2V che e' differente che sulle caratteristiche di pag 1.

il transistor non e' cosi' costante ... prevedi che di tutti quelli che compri non tutti avranno quelle caratteristiche :wink:

Se devi limitare al corrente non e' possibile farla solo con la r di base...

il data scheet e' giusto ;-)))